[发明专利]一种氟、铌掺杂低辐射率导电玻璃及其制备方法在审
| 申请号： | 202110894638.4 | 申请日： | 2021-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN113480190A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 唐少春;陆洪彬;张春玲;唐伟 | 申请（专利权）人： | 海安南京大学高新技术研究院;江苏奥蓝工程玻璃有限公司 |
| 主分类号： | C03C17/25 | 分类号： | C03C17/25;C03C23/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氟、铌掺杂低辐射率导电玻璃及其制备方法，其技术方案是：采用喷雾热解法，采用氟化铵与氯化铌作为掺杂剂制备氟、铌掺杂的二氧化锡薄膜，在以此为基础制备导电玻璃。本发明相比普通二氧化锡导电玻璃，其具备更低的辐射率指标，同时具备更强的抗氧化性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 辐射 导电 玻璃 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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