[发明专利]一种半导体器件和热沉键合的方法有效
| 申请号： | 202110894124.9 | 申请日： | 2021-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN113345809B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 杨国文;王希敏 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/373;B23K1/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 张洋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体器件和热沉键合的方法，涉及半导体技术领域，包括衬底上形成外延层；外延层形成至少一个电流注入区和位于电流注入区两侧的非电流注入区，电流注入区和非电流注入区之间形成有隔离区；外延层上形成金属层，金属层覆盖电流注入区、非电流注入区和隔离区；金属层上形成多个导电导热结构，相邻导电导热结构之间有间隙，每个非电流注入区上都设有多个导电导热结构；多个导电导热结构上形成焊接层，焊接层覆盖导电导热结构、间隙和金属层；焊接热沉和焊接层。导电导热结构保证电流注入区不受力，焊接热沉时，减少焊接应力集聚；金属层和导电导热结构的形成，减小热沉和半导体器件焊接应力，减少或避免焊接使半导体器件局部扭曲。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 热沉键合 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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