[发明专利]一种半导体器件和热沉键合的方法有效
| 申请号： | 202110894097.5 | 申请日： | 2021-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN113345808B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 杨国文;王希敏 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/367;B23K1/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 张洋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种半导体器件和热沉键合的方法，涉及半导体技术领域，包括在半导体器件的外延层上形成第一金属层；外延层具有至少一个电流注入区和设在电流注入区两侧的非电流注入区，且电流注入区和非电流注入区之间具有间隔区，第一金属层覆盖电流注入区、非电流注入区和间隔区；在第一金属层上形成第二金属层，使第二金属层位于非电流注入区上；在第二金属层上形成焊料层，使焊料层覆盖第一金属层和第二金属层；将热沉和焊料层焊接。半导体器件和热沉键合时，第二金属层起到支撑作用；第二金属层设于电流注入区两侧，电流注入区不受力，焊接熔化的焊料处于自由流动状态，减小封装时对半导体器件的应力影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 热沉键合 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于度亘激光技术（苏州）有限公司，未经度亘激光技术（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110894097.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
