[发明专利]一种新型绝缘栅双极性晶体管在审
| 申请号： | 202110873522.2 | 申请日： | 2021-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN113764522A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 何艳静;詹欣斌;袁嵩;弓小武 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08;H01L29/417 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型绝缘栅双极性晶体管，包括：集电极结构，包括：自下而上依次生长形成的集电极、P+集电极区以及N+缓冲区；N‑漂移区，位于N+缓冲区之上；表面结构，位于N‑漂移区之上，表面结构包括：两个沟槽栅极，沟槽栅极延伸至N‑漂移区；P基区以及浮空P基区，P基区位于沟槽栅极的内侧，浮空P基区位于沟槽栅极的外侧；沟槽发射极，位于P基区中；第一N+发射极以及P+发射极，位于沟槽栅极内侧；第一N+发射极和P+发射极依次交替设置在垂直于平面的z方向上；第二N+发射极，位于沟槽发射极的两侧；顶部发射极，覆盖P基区、浮空P基区、沟槽栅极、第一N+发射极和P+发射极、沟槽发射极以及第二N+发射极，且顶部发射极连接沟槽发射极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 绝缘 极性 晶体管 | ||
【主权项】：
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