[发明专利]一种刻蚀方法在审
| 申请号： | 202110862229.6 | 申请日： | 2021-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN113611602A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 孟艳秋;丁奥博 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种刻蚀方法，形成光滑的通孔剖面形貌，包含：步骤一，在三层刻蚀结构中，具有掺杂碳化硅薄膜，所述的掺杂碳化硅薄膜的上表面覆盖一层未掺杂硅玻璃USG，USG层之上还覆盖有一层NFC层；所述的掺杂碳化硅薄膜的下表面具有金属层；所述的USG层中形成深孔，所述的深孔分为两段，上段的孔直径大于下段的孔；孔内填充有金属；向下刻蚀到深孔的下段；步骤二，进行第一次的光刻胶的刻蚀工艺，采用含F的刻蚀气体对光刻胶进行刻蚀的同时对深孔内的掺杂碳化硅薄膜的形貌进行刻蚀修饰；步骤三，进行第二次的光刻胶的刻蚀工艺，去除剩余的光刻胶。本发明通过对光刻胶的含F气体刻蚀工艺，去除氧化物残留，修饰深孔的刻蚀形貌，提高深孔填充的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
