[发明专利]一种硅光子pin结光衰减结构在审
| 申请号： | 202110858224.6 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN113671730A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 郑煜;唐昕;段吉安 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025;G02F1/015 |
| 代理公司： | 长沙启昊知识产权代理事务所(普通合伙) 43266 | 代理人： | 谢珍贵 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种硅光子pin结光衰减结构，硅光子pin结光衰减结构基于SOI晶圆制成，SOI晶圆包括：基底层、埋氧层和器件层，其中，在器件层进行刻蚀后至少剩余第一部分，第一部分为硅光传输波导；硅光传输波导的两侧分别形成第一台阶和第二台阶；在第一台阶上形成P区和/或N区，在第二台阶上形成N区和/或P区；P区上形成金属互连柱，N区上形成金属互连柱；在P区中的之一上形成金属互连层；在N区中的之一上形成金属互连层。通过本申请解决了现有技术中的可调光衰减结构所存在的问题，从而提供了一种衰减范围宽、响应快的可调光衰减结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光子 pin 衰减 结构 | ||
【主权项】：
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