[发明专利]一种硅光子pin结光衰减结构

权利要求书

1.一种硅光子pin结光衰减结构，其特征在于，所述硅光子pin结光衰减结构基于SOI晶圆制成，

所述SOI晶圆包括：基底层、埋氧层和器件层，其中，在所述器件层进行刻蚀后至少剩余第一部分，所述第一部分的两侧的器件层被刻蚀掉，所述第一部分为硅光传输波导；

所述硅光传输波导的两侧分别形成第一台阶和第二台阶，其中，所述第一台阶为离子注入或扩散台阶，所述第二台阶为离子注入或扩散台阶；

在所述第一台阶上形成P区和/或N区，在所述第二台阶上形成所述N区和/或P区；

所述P区上形成金属互连柱，所述N区上形成金属互连柱；在所述P区中的之一上形成金属互连层，所述P区上形成的金属互连层用于连接所述P区上的金属互连柱；在所述N区中的之一上形成金属互连层，在所述N区上形成的金属互连层用于连接所述N区上的金属互连柱。

2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，

在所述第一台阶上形成一个所述P区，在所述第二台阶上形成一个所述N区；和/或，

在所述第一台阶上形成至少一个P区，在所述第二台阶与所述第一台阶上的P区对应的位置形成一个对应的N区，在所述第一台阶上形成至少一个N区，在所述第二台阶与所述第一台阶上的N区对应的位置上形成一个对应的P区。

3.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，没有形成金属互连层并且在所述硅光传输波导一侧的P区和N区连接。

4.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，在所述P区和所述N区上的金属互连层上沉积一层钝化层，对所述钝化层开窗形成所述P区和所述N区的金属焊盘。

5.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，在形成的所述P区和所述N区上进行填充介质的填充，所述填充介质在填充后距离所述硅光传输波导的厚度为预定距离。

6.根据权利要求5所述的结构，其特征在于，所述填充介质包括以下至少之一：二氧化硅、掺杂磷硼的二氧化硅、二乙烯硅氧烷双苯环丁烯、单晶硅。

7.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述硅光传输波导为条形或脊型。

8.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述器件层上刻蚀有隔离槽，所述隔离槽和所述硅光传输波导两侧的被刻蚀掉的部分之间的器件层被保留。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的结构，其特征在于，在所述器件层进行刻蚀后除剩余所述第一部分外，还剩余与所述第一部分耦合的第二部分，所述第二部分包括硅光子波导锥段和展宽段，其中，所述硅光子波导锥段与所述硅光子传输波导耦合，所述展宽段的宽度大于所述硅光子波导锥段；在所述硅光子波导锥段和所述展宽段上有垂直锥波导和外延展宽段，其中，所述外延展宽段的宽度大于所述垂直锥波导。

10.根据权利要求9所述的结构，其特征在于，所述垂直锥波导为线性垂直锥波导或者曲线垂直锥波导。