[发明专利]一种双层插值方法、装置、计算机设备及存储介质在审
| 申请号： | 202110854200.3 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN113568027A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 陈立新;冯暴铨;陈荣锦 | 申请（专利权）人： | 广州瑞多思医疗科技有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/00 | 分类号： | G01T1/00;G06F17/10 |
| 代理公司： | 广州博士科创知识产权代理有限公司 44663 | 代理人： | 马天鹰 |
| 地址： | 510700 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例属于插值技术领域，涉及一种双层插值方法。本申请还提供一种双层插值装置、计算机设备及存储介质。此外，本申请还涉及区块链技术，用户的消补双层电离室可存储于区块链中。本申请充分利用arcmap双层电离室的分布特点，应用另一层的信息辅助单层插值，并利用梯度信息，克服线性插值等算法在梯度大区域误差大的问题。而且计算相对简便，速度快。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双层 方法 装置 计算机 设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
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