[发明专利]一种双层插值方法、装置、计算机设备及存储介质

权利要求书

1.一种双层插值方法，其特征在于，包括下述步骤：

接收携带有原始双层电离室的插值请求；

对所述原始双层电离室的边界进行填补操作，得到填补双层电离室；

在对角方向根据所述填补双层电离室的第一填补电离室对所述填补双层电离室的第二填补电离室进行对角插值操作，得到中间双层电离室；

在横竖方向对所述中间双层电离室进行横竖插值操作，得到结果双层电离室；

对所述结果双层电离室进行消补操作，得到消补双层电离室；

判断所述消补双层电离室是否满足预设的分辨率要求；

若所述消补双层电离室满足所述分辨率要求，则输出所述消补双层电离室；

若所述消补双层电离室不满足所述分辨率要求，则重复执行所述填补操作、所述对角插值操作、所述横竖插值操作以及所述消补操作，直至得到的所述消补双层电离室满足所述分辨率要求时，输出所述消补双层电离室。

2.根据权利要求1所述的双层插值方法，其特征在于，所述对所述双层电离室的边界进行填补操作，得到填补双层电离室的步骤，具体包括下述步骤：

对所述双层电离室的水平边界根据周期性数据进行周期填补操作，得到周期填补双层电离室；

对所述周期填补双层电离室的竖直边界根据边界数据进行重复填补操作，得到所述填补双层电离室。

3.根据权利要求1所述的双层插值方法，其特征在于，所述在对角方向根据所述填补双层电离室的第一填补电离室对所述填补双层电离室的第二填补电离室进行对角插值操作，得到中间双层电离室的步骤，具体包括下述步骤：

计算所述第一填补电离室在对角方向的第一对角差分；

根据所述第一对角差分计算所述第二填补电离室的第二对角插值权重；

根据所述第二对角插值权重对所述第二填补电离室进行对角插值操作；

计算所述第二填补电离室在对角方向的第二对角差分；

根据所述第二对角差分计算所述第一填补电离室的第一对角插值权重；

根据所述第一对角插值权重对所述第二填补电离室进行所述对角插值操作，得到所述中间双层电离室。

4.根据权利要求1所述的双层插值方法，其特征在于，所述在横竖方向对所述中间双层电离室进行横竖插值操作，得到结果双层电离室的步骤，具体包括下述步骤：

计算所述中间双层电离室的第一中间电离室在横竖方向的第一横竖差分；

根据所述第一横竖差分计算所述第一中间电离室的第一横竖插值权重；

根据所述第一横竖插值权重对所述第一中间电离室进行横竖插值操作；

计算所述中间双层电离室的第二中间电离室在横竖方向的第二横竖差分；

根据所述第二横竖差分计算所述第二中间电离室的第二横竖插值权重；

根据所述第二横竖插值权重对所述第二中间电离室进行所述横竖插值操作，得到所述结果双层电离室。

5.根据权利要求1所述的双层插值方法，其特征在于，所述对角插值操作表示为：

其中，w_Pj表示待插值点P与已知点j的权重系数；p_j表示点j处的已知读数；∈是用于避免除0的小量。

6.根据权利要求1所述的双层插值方法，其特征在于，在所述输出所述消补双层电离室的步骤之后，还包括下述步骤：

将所述消补双层电离室存储至区块链中。