[发明专利]失效DRAM地址线的定位方法、装置及存储介质在审
| 申请号： | 202110845862.4 | 申请日： | 2021-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN115691628A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 陈派林;肖刚军 | 申请（专利权）人： | 珠海一微半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/02 | 分类号： | G11C29/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 519000 广东省珠海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种失效DRAM地址线的定位方法、装置及存储介质，所述方法先对异常芯片的DRAM内存进行数据填充，然后再读取起始地址空间片段的数据出来进行分析，当出现数据异常现象，结合地址访问模式和异常的数据可实现对异常芯片的DRAM内存中失效的地址线的精确定位；本技术方案能在合封芯片无法使用示波器/万用表等仪器条件下，提供具体的失效DRAM地址线给封装工厂做开盖分析，可以大大降低分析成本，更进一步地，本技术方案还可以进行应用扩展，适用于多种类型的DRAM地址线的失效问题分析。 | ||
| 搜索关键词： | 失效 dram 地址 定位 方法 装置 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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