[发明专利]一种半导体激光器件、制造方法及其应用在审
| 申请号： | 202110838375.5 | 申请日： | 2021-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN115693399A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 崔碧峰;王翔媛;潘季宸;冯靖宇;陈芬;李彩芳 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京希夷微知识产权代理事务所(普通合伙) 16079 | 代理人： | 王小东 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开内容提供一种半导体激光器及其制作方法，所述激光器包括：一衬底；在衬底上形成的半导体结构，包括第一和第二分布布拉格反射镜、第一和第二包覆层以及有源层；以及在所述有源层上形成的第一限制层和/或在所述有源层下形成的第二限制层；所述限制层在所述有源层中限定出N个相邻的子发光区域，所述N个相邻的子发光区域形成一相干耦合发光单元,其中N为大于等于3的整数。本公开内容有助于实现如下效果之一：能解决电流扩展不均匀、获得相干耦合输出，改善光束质量，提供高度紧密排列和精确限定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 制造 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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