[发明专利]一种基于二维过渡金属硫族化合物的BJT及其制备方法在审
| 申请号： | 202110821720.4 | 申请日： | 2021-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN113594240A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 曾祥斌;王君豪;胡一说;王文照;陆晶晶;王曦雅;周宇飞;王士博;肖永红;陈铎;张茂发 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735;H01L29/73;H01L29/24;H01L21/331 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 夏倩;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于二维过渡金属硫族化合物的BJT及其制备方法，属于半导体微器件领域，包括：带有介质层的单晶硅衬底及其介质层表面同种二维过渡金属硫族化合物依次横向连接的P型薄膜、N型薄膜、P型薄膜，以及位于各薄膜上表面的电极；制备方法包括：在带介质层的单晶硅衬底上表面制备遮挡层，旋涂包含硫元素和过渡金属元素的第一前驱体溶液；在所得样品的上表面旋涂光刻胶后去除遮挡层，在其上表面旋涂金属盐溶解于第一前驱体溶液形成的第二前驱体溶液，去除光刻胶；将所得样品在真空中进行激光辐照；在样品上表面制备金属电极，得到BJT。本发明使薄膜制备掺杂一步完成，解决现有二维材料BJT的制备工艺中薄膜易受损伤，影响器件性能的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 二维 过渡 金属 化合物 bjt 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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