[发明专利]一种钴硅化物膜层的形成方法在审
| 申请号： | 202110798160.5 | 申请日： | 2021-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN113257663A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 陈娟;曾婵;唐浩;林康 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 罗磊 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种钴硅化物膜层的形成方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，半导体衬底的表面形成有天然氧化层，天然氧化层包括氮、氧和硅三种元素；通过第一次射频等离子体去除工艺和第二次射频等离子体去除工艺物理去除天然氧化层，第一次射频等离子体去除工艺的工艺参数大于第二次射频等离子体去除工艺的工艺参数；在半导体衬底上形成钴硅化物膜层，可以完全将含氮元素的天然氧化层去除，使得后续形成的钴硅化物膜层的连续性好，提高了CIS/OTP/MTP器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钴硅化物膜层 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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