[发明专利]一种高比表面积缺陷型钴酸镍的制备方法有效
| 申请号： | 202110787196.3 | 申请日： | 2021-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN113658810B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 柴东凤;郭文鑫;董国华 | 申请（专利权）人： | 齐齐哈尔大学 |
| 主分类号： | H01G11/46 | 分类号： | H01G11/46;H01G11/86 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 161006 黑*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高比表面积缺陷型钴酸镍的制备方法。本发明的目的是要解决现有钴酸镍导电性较差和活性位点较少的问题，提供一种可同时提高其作为超级电容器电极性能和电催化析氢催化剂性能的制备方法。方法：以硝酸镍、硝酸钴、甘油和正硅酸乙酯为原料，采用自活化法，得到具有高比表面积缺陷型钴酸镍材料，为同时提高现有钴酸镍超级电容器性能和电催化析氢性能提供了一种制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面积 缺陷 型钴酸镍 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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