[发明专利]一种基于透明氧化物的光电类突触器件及其应用在审
申请号: | 202110779948.1 | 申请日: | 2021-07-09 |
公开(公告)号: | CN113517365A | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 苏杰;林珍华;杜亚伟;常晶晶;郝跃 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0224;H01L31/08 |
代理公司: | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人: | 徐云侠 |
地址: | 710071 陕西省*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开一种基于透明氧化物的光电类突触器件及其应用,属于人工神经网络技术领域,包括衬底以及所述衬底上依次叠层设置的功能层和离子发光层;所述离子发光层的两侧分别设置有金属电极,且两个所述金属电极的底部均与所述功能层的上表面相接触;所述离子发光层为钙钛矿型氧化物,所述钙钛矿型氧化物掺杂有稀土元素。本发明的光电类突触器件可以对大范围波长的光都能做出突触响应,且在较小电信号或光信号刺激下有很大的电阻,从而具有很低的功耗,且提高了光电类突触器件的稳定性和均一性。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 透明 氧化物 光电 突触 器件 及其 应用 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的