[发明专利]一种高性能硅碳负极极片及其制备方法在审
| 申请号： | 202110773071.5 | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN114628648A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 王慧敏;许梦清 | 申请（专利权）人： | 万向一二三股份公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/583;H01M4/62;H01M10/0525;H01M10/42 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 何俊 |
| 地址： | 311215 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及锂电池领域，针对硅负极在嵌锂过程中体积变化大的问题，提供一种高性能硅碳负极极片，配方为：按质量份数计，硅碳复合材料90～96份，添加剂多孔碳1～4份、导电剂0.5～2份，粘结剂1.2‑4份，其中硅碳复合材料由硅基材料和石墨材料组成。本发明采用多孔碳材料作为添加剂，可很好的缓冲硅基负极材料在充放电过程中带来的巨大体积效应，结构稳定性得到大大的提高，从而抑制负极膨胀。本发明还提供所述高性能硅碳负极极片的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 负极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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