[发明专利]一种镁合金表面MBT/植酸自修复体系的制备方法有效
| 申请号： | 202110772080.2 | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN113564607B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 王艳力;张文佳;闫大帅;张振华 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | C23F11/16 | 分类号： | C23F11/16;C23F1/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开一种镁合金表面MBT/植酸自修复体系的制备方法，通过严格控制合成条件在镁合金表面制备植酸微裂纹存储器，接着将缓蚀剂2‑巯基苯并噻唑(MBT)负载到存储器中，制成MBT/植酸自修复体系。相比于传统的有机涂层掺杂存储器的制备方式，本发明中制备的植酸微裂纹存储器既可以为镁合金提供被动的腐蚀防护，又可以利用自身的微裂纹作为负载缓蚀剂的存储器。此外，通过控制溶液浓度、真空度、浸渍时间以及冲洗方式在植酸微裂纹存储器中负载缓蚀剂MBT制成的具有自修复功能的体系，不仅节约了成本，简化了制备过程，而且解决了存储器与有机涂层相容性差、缓蚀剂负载量低等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 镁合金 表面 mbt 修复 体系 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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