[发明专利]一种镁合金表面MBT/植酸自修复体系的制备方法有效
| 申请号： | 202110772080.2 | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN113564607B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 王艳力;张文佳;闫大帅;张振华 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | C23F11/16 | 分类号： | C23F11/16;C23F1/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 镁合金 表面 mbt 修复 体系 制备 方法 | ||
1.一种镁合金表面MBT/植酸自修复体系的制备方法，其特征在于，通过严格控制合成条件在镁合金表面制备植酸微裂纹存储器，接着将缓蚀剂2-巯基苯并噻唑(MBT)负载到植酸微裂纹存储器中，制成MBT/植酸自修复体系；按照下述步骤进行制备：
步骤1，植酸微裂纹存储器的制备：将植酸溶解在去离子水中制成植酸溶液，在减压条件下将经过预处理的镁合金片浸渍在植酸溶液中，一段时间后取出用去离子水将镁合金表面冲洗干净，然后在60℃的烘箱中干燥；
步骤2，MBT的负载：将MBT溶解在无水乙醇中形成溶液，在减压条件下将具有植酸微裂纹的镁合金片浸渍在MBT溶液中，一段时间后取出用无水乙醇将镁合金样品冲洗干净，然后在60℃的烘箱中干燥。
2.根据权利要求1所述的一种镁合金表面MBT/植酸自修复体系的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，减压条件下真空度控制在0.06-0.08Mpa，植酸的浓度为9.5-10.5mg/mL，镁合金片在植酸溶液中浸渍140-160秒。
3.根据权利要求1所述的一种镁合金表面MBT/植酸自修复体系的制备方法，其特征在于，所诉步骤2中，MBT的浓度控制在38-40mg/mL，减压条件下真空度控制在0.08-0.1MPa，镁合金片在MBT溶液中的浸渍时间为9-11分钟，浸渍完成后的冲洗方式为在镁合金片的一侧以160-170度的冲洗角度使无水乙醇从镁合金片的一侧缓慢流过整个区域，冲洗次数为5-6次。
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