[发明专利]光刻条件的在线监测方法及掩膜版在审
| 申请号： | 202110766586.2 | 申请日： | 2021-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN113611622A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 杨红美;金佩;李伟峰;顾以理 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G03F7/20;G03F1/44 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种光刻条件的在线监测方法及掩膜版，涉及半导体制造领域。该光刻条件的在线监测方法包括通过光刻工艺在晶圆表面形成CD Bar和若干条状辅助结构；监测所述CD Bar的尺寸和形貌；其中，所述条状辅助结构位于所述CD Bar的四周；解决了目前在图形密度过低的层侧容易发生CD Bar区域倒胶的问题；达到了改善CD Bar区域倒胶，提高光刻条件监测结果的准确性的稳定性的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 条件 在线 监测 方法 掩膜版 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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