[发明专利]基于斜切角衬底的Ⅲ族氧化物薄膜制备方法及其外延片有效
| 申请号： | 202110759245.2 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113471064B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 孙海定;方师;汪丹浩;梁方舟 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供一种基于斜切角衬底的III族氧化物薄膜制备方法及其外延片，制备方法包括：在具有斜切角的连续台阶形衬底(1)上外延缓冲层(2)；在缓冲层(2)上制备外延层(3)；其中，外延层(3)为单晶III族氧化物薄膜，缓冲层(2)和衬底(1)异质，缓冲层(2)和外延层(3)同质。通过在具有斜切角的连续原子级台阶形衬底上外延缓冲层，可以促使反应源的吸附原子在台阶边缘处生长，形成一致取向的生长模式，得到完整的单晶缓冲层薄膜，进而在单晶缓冲层薄膜上同质外延出高质量的单晶外延层薄膜。本方法工艺兼容性强，降低了生产高质量单晶III族氧化物薄膜的成本，便于对其进行推广使用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 斜切 衬底 氧化物 薄膜 制备 方法 及其 外延 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
