[发明专利]一种TSV样品的制备方法在审
| 申请号： | 202110755788.7 | 申请日： | 2021-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN113484111A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 陈家宝 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 杨晓萍 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体器件制造工艺技术领域，尤其涉及一种TSV样品的制备方法，在各TSV的通孔底部沉积第一金属层，第一金属层覆盖通孔底部，将预先配置的粘合剂填充至待处理样品的各TSV的通孔中部的内壁中；在各TSV的通孔上方沉积形成第二金属层，第二金属层覆盖于TSV通孔开口上部；在第二金属层上方沉积覆盖层，获得预处理后的待处理样品；使用双束电浆离子束PFIB并按照预设的切割方式对预处理后的待处理样品进行切割，形成暴露出各TSV切截面的TSV样品。这样，通过填充各TSV的通孔的中部的内壁，并沉积形成覆盖层，能够避免因I‑Beam照射而出现窗帘效应和地址凹陷，从而能够提高对TSV的尺寸参数测量的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tsv 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
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