[发明专利]一种载流子有效分离的铜基薄膜太阳电池P-N结结构设计的方法及制备得到的太阳电池在审
申请号: | 202110754941.4 | 申请日: | 2021-07-01 |
公开(公告)号: | CN113471332A | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 张毅;郭洪玲;孟汝涛;刘越;敖建平;刘玮;刘芳芳 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032;H01L31/072 |
代理公司: | 天津耀达律师事务所 12223 | 代理人: | 张耀 |
地址: | 300350 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供一种载流子有效分离的铜基薄膜太阳电池P‑N结结构设计方法及制备得到的太阳电池。该薄膜太阳电池P‑N结结构设计的方法,包括:在背电极上制备P型铜锌锡硫硒吸光层薄膜;在所述吸光层表面沉积弱N型缓冲层薄膜;在所述缓冲层薄膜表面低温沉积N型窗口层,其中低温退火过程中通过界面固态交换反应实现一个新型P‑N结结构设计。由此,形成的新型P‑N结结构实现了载流子的有效分离,优化了载流子的传输和收集效率,增加了开路电压,显著提升了薄膜太阳电池的光电转换效率。本发明工艺简单,有效地解决了目前P‑N结界面的能带排列问题,为薄膜太阳电池的产业化提供了一条路径。 | ||
搜索关键词: | 一种 载流子 有效 分离 薄膜 太阳电池 结构设计 方法 制备 得到 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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