[发明专利]一种中空纳米碗状结构的制备方法与纳米材料及应用有效
| 申请号： | 202110754351.1 | 申请日： | 2021-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN113512708B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 赵晓宇;温嘉红;毛德源;张永军;王雅新 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/20;C23C14/58;B22F1/054;B22F1/18;B01J23/52;B01J23/72;B01J35/02;B01J37/34;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种中空纳米碗状结构的制备方法与纳米材料及应用，首先通过磁控溅射以及等离子刻蚀刻蚀得到了中空铜纳米碗结构，通过光照射在中空铜纳米碗上，能够加强吸附分子与金属表面之间的化学相互作用，包括化学键增强、表面杂化的共振增强、声子诱导电荷转移增强等，来加强催化性能。本发明中的复合纳米结构长在硅片上，通过照射在复合结构上的光，激发复合结构上局域表面等离激元，通过金属局域表面等离激元激发出的热电子、热空穴以及化学能，来加快纳米结构中电荷的转移，从而提高催化的效率，通过金和铜的表面等离激元效应，加强了CO |
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| 搜索关键词： | 一种 中空 纳米 结构 制备 方法 材料 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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