[发明专利]一种中空纳米碗状结构的制备方法与纳米材料及应用有效

专利信息
申请号: 202110754351.1 申请日: 2021-07-02
公开(公告)号: CN113512708B 公开(公告)日: 2023-06-20
发明(设计)人: 赵晓宇;温嘉红;毛德源;张永军;王雅新 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/20;C23C14/58;B22F1/054;B22F1/18;B01J23/52;B01J23/72;B01J35/02;B01J37/34;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310018 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 中空 纳米 结构 制备 方法 材料 应用
【权利要求书】:

1.一种中空纳米碗状结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1第一次磁控溅射:在通过自组装方法制备的高度有序的聚苯乙烯小球阵列表面通过磁控溅射镀上金属颗粒,金属颗粒的厚度为5~25nm;聚苯乙烯小球阵列的制备方法为:在亲水性的Si衬底表面组装出密集排列的直径为200~1000nm的聚苯乙烯小球;

S2离子源刻蚀:将步骤S1溅射完成的样品进行离子源刻蚀,离子源刻蚀的刻蚀时间为1~300min,离子源刻蚀的功率为10~500W;

S3第二次磁控溅射:对步骤S2得到的样品进行第二次磁控溅射,在样品表面生长金属膜;

S4粘贴固定:将对步骤S3溅射完成的样品粘贴固定在胶带表面,得到薄膜;

S5浸泡:用溶剂四氢呋喃浸泡步骤S4得到的薄膜;

S6第三次磁控溅射:对步骤S5的薄膜进行第三次磁控溅射,在薄膜表面生长金属颗粒,金属颗粒的生长时间为5~120S;

第一次磁控溅射的金属颗粒为铜颗粒,第二次磁控溅射的金属膜为铜膜,第三次磁控溅射的金属颗粒为金颗粒,

或者,

第一次磁控溅射的金属颗粒为金颗粒,第二次磁控溅射的金属膜为金膜,第三次磁控溅射的金属颗粒为铜颗粒。

2.根据权利要求1所述的一种中空纳米碗状结构的制备方法,其特征在于,所述步骤S3中,金属膜的厚度为100~800nm。

3.根据权利要求1所述的一种中空纳米碗状结构的制备方法,其特征在于,所述步骤S5中,浸泡时间为24~48h。

4.一种纳米材料,其特征在于,采用权利要求1-3任一项所述的制备方法制得的纳米材料,包括中空纳米碗状结构,以及粘在纳米结构上的金属颗粒。

5.一种如权利要求4所述的纳米材料的应用,其特征在于,所述纳米材料在催化CO2中的应用。

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