[发明专利]半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 202110750250.7 | 申请日： | 2021-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN115565854A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 穆天蕾 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 赵新龙;阚梓瑄 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件的形成方法，包括：提供一衬底，包括第一图案区和第二图案区；在衬底上形成第一掩膜层，第一掩膜层包括覆盖第一图案区的第一区域和覆盖第二图案区的第二区域；图案化第一掩膜层，以形成第二掩膜层，第二掩膜层包括覆盖第一图案区的第三区域和覆盖第二图案区的第四区域；图案化第二掩膜层，以形成第三掩膜层，第三掩膜层包括覆盖第一图案区的间隔图案和覆盖第二图案区的连续图案。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
