[发明专利]用于过电流保护的耗尽型MOSFET在审
| 申请号： | 202110736426.3 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113872168A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 秦传芳;尼尔·勒琼;刘志宏;杜志德 | 申请（专利权）人： | 力特保险丝公司 |
| 主分类号： | H02H9/02 | 分类号： | H02H9/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 谭营营;胡彬 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开了用于过电流保护的耗尽型MOSFET。该电路的特征在于连接到电阻性元件的耗尽型MOSFET，优选地正温度系数(PTC)器件，以使得PTC器件上的电压与MOSFET的栅极到源极电压相同的方式进行配置。该电路还可以使用TVS二极管来配置，用于在过电流事件期间箝位MOSFET的漏极到源极电压。MOSFET和PTC器件之间的热传递有助于过电流保护。包括耗尽型MOSFET、PTC器件和TVS二极管的两端子器件可以向其他电路提供过电流保护。包括设置在PTC的两侧上的两个MOSFET的双向电路c也被设想用于AC电压过电流保护。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电流 保护 耗尽 mosfet | ||
【主权项】：
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