[发明专利]用于过电流保护的耗尽型MOSFET

权利要求书

1.一种能够操作以提供过电流保护的电路，所述电路包括：

金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)；以及

电阻性器件，所述电阻性器件具有两个端子，一个端子耦合到所述MOSFET的源极，并且第二端子耦合到所述MOSFET的栅极；

其中所述MOSFET和所述电阻性器件在过电流事件期间保护所述电路。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述电阻性器件是正温度系数(PTC)器件。

3.根据权利要求1所述的电路，其中所述MOSFET是耗尽型MOSFET。

4.根据权利要求3所述的电路，其中所述MOSFET是N沟道耗尽型MOSFET。

5.根据权利要求1所述的电路，还包括耦合在所述电阻性器件的第二端子和地之间的二极管，其中所述二极管在所述过电流事件期间箝位所述MOSFET的漏极到源极电压。

6.根据权利要求5所述的电路，其中所述二极管是瞬变电压抑制(TVS)二极管。

7.根据权利要求1所述的电路，其中所述MOSFET热耦合到所述电阻性器件，并且响应于所述电路接收浪涌电流，所述MOSFET加热所述电阻性器件。

8.根据权利要求1所述的电路，其中响应于所述电路接收浪涌电流，所述MOSFET的漏极到源极电压V_DS的增加与所述MOSFET的栅极到源极电压V_GS的降低相耦合。

9.根据权利要求2所述的电路，其中所述PTC压制浪涌电流，并且所述PTC的电阻的增大加速所述MOSFET的阻断能力。

10.根据权利要求2所述的电路，所述MOSFET包括最大栅极到源极电压，并且所述PTC包括最大工作电压，其中所述最大工作电压不超过所述最大栅极到源极电压。

11.一种耦合到电路的器件，所述器件能够操作以向所述电路提供过电流保护，所述器件包括：

耗尽型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)；以及

正温度系数(PTC)器件，所述正温度系数器件耦合在所述MOSFET的源极和所述MOSFET的栅极之间，其中流过所述PTC器件的电流引起在电阻性器件上的电压，所述电压等于所述MOSFET的栅极到源极电压；

其中所述MOSFET和所述PTC器件在过电流事件期间保护所述电路。

12.根据权利要求11所述的器件，还包括：

第一端子，所述第一端子用于耦合到所述电路的电压源；以及

第二端子，所述第二端子用于耦合到要被保护免受所述过电流事件影响的所述电路的一部分。

13.根据权利要求12所述的器件，还包括二极管，用于在过电流保护期间箝位所述MOSFET的漏极到源极电压V_DS。

14.根据权利要求11所述的器件，所述MOSFET包括最大栅极到源极电压，并且所述PTC器件包括最大工作电压，其中所述最大工作电压不超过所述最大栅极到源极电压。

15.一种能够操作以提供过电流保护的电路，所述电路包括：

金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)；

电阻性器件，所述电阻性器件具有两个端子，第一端子耦合到所述MOSFET的源极，并且第二端子耦合到所述MOSFET的栅极；以及

第二MOSFET，所述第二MOSFET耦合到所述电阻性器件，其中所述第二MOSFET的栅极耦合到所述第一端子，并且所述第二MOSFET的源极耦合到所述第二端子。