[发明专利]一种判断浪涌电流测试中SiC MOSFET失效原因的方法有效
| 申请号： | 202110732566.3 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113466649B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 王振宇;李运甲;孙晓华;金吉振;窦伟滔;王毓柱;朱郑允;郭清;刘晔 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学;浙江大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 王艾华 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种判断浪涌电流测试中SiC MOSFET失效原因的方法，在电动机驱动器和并网系统等高功率变换器中，SiC功率MOSFET及其体二极管可能会遭受大浪涌电流的冲击，需要研究SiC功率MOSFET的浪涌电流能力和浪涌电流可靠性并判断其失效原因。对于浪涌电流测试中SiC MOSFET失效原因的判断主要借助于器件解封后的失效观察，缺乏与电学性能有关的判断方法。本发明对SiC MOSFET在正栅偏浪涌电流测试中可能存在的失效原因，提出了一种与电学性能相关的判断方法，能够根据浪涌电流测试中浪涌电压波形的变化规律判断SiC MOSFET的失效原因，通过比较最大浪涌电流能力验证器件的失效原因，避免了对器件进行解封观察，减少了工作量，有利于了解器件的失效过程，补充了SiC MOSFET的可靠性研究。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 判断 浪涌 电流 测试 sic mosfet 失效 原因 方法 | ||
【主权项】：
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