[发明专利]一种判断浪涌电流测试中SiC MOSFET失效原因的方法有效
| 申请号： | 202110732566.3 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113466649B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 王振宇;李运甲;孙晓华;金吉振;窦伟滔;王毓柱;朱郑允;郭清;刘晔 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学;浙江大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 王艾华 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 判断 浪涌 电流 测试 sic mosfet 失效 原因 方法 | ||
1.一种判断浪涌电流测试中SiC MOSFET失效原因的方法，其特征在于，根据浪涌电压波形判断器件的失效原因，包括以下步骤：
1)栅极电压VGS，对SiC MOSFET从源极向漏极施加浪涌电流，记录相应的浪涌电压波形，逐渐增大浪涌电流峰值进行测试，记录每次测试过程中的浪涌电压波形，直至器件失效，将器件失效时的浪涌电流峰值定义为器件的最大浪涌电流能力，记录器件的最大浪涌电流能力；
2)分析正栅偏浪涌电流测试过程中的浪涌电压波形变化，若在器件失效前，浪涌电压波形存在明显的尖峰电压，且尖峰电压的位置随着浪涌测试的进行逐渐向左上方移动，则判断器件因铝熔化而发生了封装失效；
3)分析正栅偏浪涌电流测试过程中的浪涌电压波形变化，若在器件失效前，浪涌电压波形不存在尖峰电压，则判断器件因栅极氧化物击穿而失效；
4)栅极电压VGS设置为-5至-1V内的某个固定值，对同种型号的SiC MOSFET进行浪涌电流测试，直至器件失效，记录器件的最大浪涌电流能力，对比正栅偏浪涌电流测试与负栅偏浪涌电流测试中器件的最大浪涌电流能力，验证对器件失效原因的判断；
5)SiC MOSFET在负栅偏测试中因铝熔化而发生封装失效，若正栅偏浪涌电流测试中器件的最大浪涌电流能力与负栅偏浪涌电流测试中的情形相近相比不超过10％，则验证了正栅偏浪涌电流测试中器件因铝熔化而发生封装失效；若正栅偏浪涌电流测试中器件的最大浪涌电流能力明显小于负栅偏浪涌电流测试中的情形相比超过10％，则验证了正栅偏浪涌电流测试中器件因栅极氧化物击穿而提前失效。
2.根据权利要求1所述的一种判断浪涌电流测试中SiC MOSFET失效原因的方法，其特征在于，所述步骤1)中栅极电压VGS设置为15—20V。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学;浙江大学，未经西安交通大学;浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110732566.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：工程机械的效率测试系统
- 下一篇：一种从铜尾矿中回收高品位铁精矿的选矿工艺
