[发明专利]一种基于铁电拓扑态畴壁超磁阻效应的传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110727954.2 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113517390A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 高兴森;杨文达;刘俊明;田国 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12;B82Y15/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 辜丹芸 |
| 地址： | 510000 广东省广州市番禺区广州大*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种基于铁电拓扑态畴壁超磁阻效应的传感器，包括顶电极、铁酸铋(BFO)纳米岛和底电极，所述BFO纳米岛设于顶电极和底电极之间，且其可在外加直流偏压下由初始之字型畴结构转变为涡旋畴结构；当BFO纳米岛处于涡旋畴结构时，其涡心为一维的拓扑缺陷且具有明显高于畴区的类金属导电性；当外加磁场为0时，涡心处形成的一维导电通道可导电；当具有外加磁场时，电流在涡心处发生偏转，涡旋畴结构导电性下降，呈现出超磁阻效应。本发明还提供一种上述传感器的制备方法。相比于现有技术，该传感器具有高密度、高有序性，且在室温下具有明显的磁阻特性，同时制备工艺简单、稳定性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 拓扑 态畴壁超 磁阻 效应 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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