[发明专利]掩膜版、半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种掩膜版、半导体器件的制造方法。掩膜版用于半导体器件的光刻，半导体器件包括依次层叠的衬底、堆叠结构及光阻层，衬底包括器件区及位于器件区外围的切割道区。掩膜版设有多个第一图案，第一图案用于在器件区的光阻层内形成开口，掩膜版还设有多个第二图案，第二图案用于在切割道区的光阻层内形成开口。其中，每一第一图案和每一第二图案的形状、大小相同，多个第一图案的排布密度大于多个第二图案的排布密度。当以光刻后的光阻层为掩膜对半导体器件的堆叠结构进行刻蚀时，通过监测第二图案对应的开口是否缩小至小于预设阈值，即可实现对刻蚀副产物的监控，有利于提高半导体器件的生产良率。