[发明专利]SRAM存储单元、运行方法及SRAM存储器在审
| 申请号： | 202110705644.0 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113539308A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 曾健忠 | 申请（专利权）人： | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/04 | 分类号： | G11C7/04 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 杨志强 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种SRAM存储单元、运行方法及SRAM存储器，涉及半导体技术领域，该SRAM存储单元包括：交叉耦合的第一反相器和第二反相器；以及与第一反相器、第二反相器均连接的选择控制器；第一反相器和第二反相器还均与以提供正电压的第一电压端连接，选择控制器还与接地端和以提供负电压的第二电压端连接；在读取阶段，选择控制器用于控制第一反相器与第二电压端连接，选择控制器还用于控制第二反相器与接地端连接；在写入阶段，选择控制器用于控制第一反相器与接地端连接，选择控制器还用于控制第二反相器与第二电压端连接。本申请可以降低自加热效应对SRAM存储单元的操作速度和最小操作电压的影响。 | ||
| 搜索关键词： | sram 存储 单元 运行 方法 存储器 | ||
【主权项】：
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