[发明专利]SRAM存储单元、运行方法及SRAM存储器在审
| 申请号： | 202110705644.0 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113539308A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 曾健忠 | 申请（专利权）人： | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/04 | 分类号： | G11C7/04 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 杨志强 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sram 存储 单元 运行 方法 存储器 | ||
1.一种SRAM存储单元，其特征在于，包括：
交叉耦合的第一反相器和第二反相器；以及与所述第一反相器、所述第二反相器均连接的选择控制器；所述第一反相器和所述第二反相器还均与以提供正电压的第一电压端连接，所述选择控制器还与接地端和以提供负电压的第二电压端连接；
在读取阶段，所述选择控制器用于控制所述第一反相器与所述第二电压端连接，所述选择控制器还用于控制所述第二反相器与所述接地端连接；
在写入阶段，所述选择控制器用于控制所述第一反相器与所述接地端连接，所述选择控制器还用于控制所述第二反相器与所述第二电压端连接。
2.根据权利要求1所述的SRAM存储单元，其特征在于，所述SRAM存储单元还包括：第一传输门晶体管和第二传输门晶体管；
所述第一传输门晶体管的栅极与字线连接，所述第一传输门晶体管的第一极与所述第一反相器、所述第二反相器连接于第一存储节点，所述第一传输门晶体管的第二极与第一位线连接；
所述第二传输门晶体管的栅极与所述字线连接，所述第二传输门晶体管的第一极与所述第一反相器、所述第二反相器连接于第二存储节点，所述第二传输门晶体管的第二极与第二位线连接。
3.根据权利要求2所述的SRAM存储单元，其特征在于，所述第一反相器包括：第一上拉晶体管和第一下拉晶体管；
所述第一上拉晶体管的栅极与所述第二存储节点连接，所述第一上拉晶体管的第一极与所述第一电压端连接，所述第一上拉晶体管的第二极与所述第一存储节点连接；
所述第一下拉晶体管的栅极与所述第二存储节点连接，所述第一下拉晶体管的第一极与所述第一存储节点连接，所述第一下拉晶体管的第二极与所述选择控制器连接。
4.根据权利要求3所述的SRAM存储单元，其特征在于，所述第二反相器包括：第二上拉晶体管和第二下拉晶体管；
所述第二上拉晶体管的栅极与所述第一存储节点连接，所述第二上拉晶体管的第一极与所述第一电压端连接，所述第二上拉晶体管的第二极与所述第二存储节点连接；
所述第二下拉晶体管的栅极与所述第一存储节点连接，所述第二下拉晶体管的第一极与所述第二存储节点连接，所述第二下拉晶体管的第二极与所述选择控制器连接。
5.根据权利要求4所述的SRAM存储单元，其特征在于，所述第一上拉晶体管和第二上拉晶体管均为P型晶体管，所述第一传输门晶体管、所述第二传输门晶体管、所述第一下拉晶体管、所述第二下拉晶体管均为N型晶体管。
6.一种SRAM存储单元运行方法，应用于如权利要求1至5中任一项所述的SRAM存储单元中，其特征在于，包括：
在读取阶段，所述选择控制器控制所述第一反相器与所述第二电压端连接，所述选择控制器还控制所述第二反相器与所述接地端连接；
在写入阶段，所述选择控制器控制所述第一反相器与所述接地端连接，所述选择控制器还控制所述第二反相器与所述第二电压端连接。
7.一种SRAM存储器，其特征在于，包括如权利要求1至5中任一项所述的SRAM存储单元，以及所述字线、所述第一位线和所述第二位线。
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