[发明专利]硬质掩膜的制备方法及硬质掩膜有效
| 申请号： | 202110702158.3 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113436964B | 公开（公告）日： | 2023-04-21 |
| 发明（设计）人： | 曾长淦;郝立龙;王秀霞;李林;范晓东 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 鄢功军 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硬质掩膜的制备方法及硬质掩膜，其中，硬质掩膜的制备方法包括：提供一硅片；在硅片的上表面生长第一氮化硅层，同时，在硅片的下表面生长第二氮化硅层；在第一氮化硅层上生长第一氧化硅层；刻蚀第一氧化硅层和第一氮化硅层形成干刻掩膜面；刻蚀第二氮化硅层形成湿刻掩膜面；在干刻掩膜面生长保护层并在保护层上涂覆密封层；在湿刻掩膜面刻蚀图形并预留支撑层；去除密封层和保护层，在干刻掩膜面按照图形刻穿支撑层，得到硬质掩膜。 | ||
| 搜索关键词： | 硬质 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学技术大学，未经中国科学技术大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110702158.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
