[发明专利]一种低二次电子发射系数的膜层及其制备方法有效
| 申请号： | 202110697294.8 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113684453B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 何鋆;白春江;苗光辉;胡天存;张恒;黄浩;陈国宇 | 申请（专利权）人： | 西安空间无线电技术研究所 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/06;C23C14/54 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 张丽娜 |
| 地址： | 710100 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明通过真空蒸镀技术，在基底材料表面制备富勒烯功能薄膜，实现了一种低二次电子发射系数的膜层，通过精确控制富勒烯薄膜的制备条件，大幅降低了材料表面二次电子发射系数。本发明提出的方法成本低，与部件制造工艺兼容，适用于大面积制备，在降低二次电子发射系数的同时确保了部件电性能的一致性，在抑制二次电子倍增效应领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二次电子 发射 系数 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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