[发明专利]低接触电阻的氧化镓基场效应晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 202110692063.8 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN113421915A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 苏杰;常晶晶;马开创;林珍华;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/24;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;李勇军 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低接触电阻的氧化镓基场效应晶体管及其制作方法，主要解决现有器件结构中金属和氧化镓接触时接触电阻较大的问题。其自下而上包括衬底(1)，绝缘层(2)，氧化镓沟道层(3)，该沟道层上方设有不规则的极性过渡金属硫化物界面缓冲层(4)，其化学式为MXX′，M为钼,钨中的任意一种；X和X′分别为硫、硒、碲中任意不同的两种。界面缓冲层上部设有介质层，介质层两端设有源漏电极，介质层上部设有栅电极。本发明由于有引入了界面缓冲层可防止金属和氧化镓直接接触产生的界面态，同时由于该界面缓冲层自身存在的电场更加有利于电子的传输，减小了接触电阻，提高了器件性能，可用于制备高性能功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 电阻 氧化 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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