[发明专利]一种Ce掺杂拓扑绝缘体碲化铋单晶薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202110691288.1 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN113502534A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 滕鹏 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院材料研究所 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/46 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 刘磊 |
| 地址： | 621700 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Ce掺杂拓扑绝缘体碲化铋单晶薄膜的制备方法，属于单晶薄膜制备方法技术领域，将Ce源、Bi源和Te源作为蒸发源，对衬底除气后，将衬底传至分子束外延设备的分子束外延腔，然后调节衬底温度，待其稳定后，使蒸发源和衬底在预设的源温度下生长。MBE技术可以生长出高掺杂浓度的薄膜，已知工作中，有报道了最高x＝0.06浓度Ce元素掺杂的单晶块材工作，通过本申请的方法，我们可以生长出掺杂浓度提升将近一倍的单晶薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ce 掺杂 拓扑 绝缘体 碲化铋单晶 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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