[发明专利]一种耐二次击穿的功率双极晶体管有效
| 申请号： | 202110689498.7 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN113437133B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 牛崇实;林和;黄宏嘉;洪学天;张维忠 | 申请（专利权）人： | 弘大芯源（深圳）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/732 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 赵银萍 |
| 地址： | 518128 广东省深圳市宝安区航城街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种耐二次击穿的功率双极晶体管，包括：集电极欧姆接触区设置在最底部，在集电极欧姆接触区上设置集电极P+区，在集电极P+区上设置集电极P‑区；在集电极P‑区上设置基极n区，在集电极P‑区与基极n区之间形成集电极‑基极p‑n结区；在基极n区内设置发射极区，在基极n区与发射极区之间形成发射极‑基极p‑n结区；在基极n区上设置介电薄膜，在介电薄膜上间隔设置基极欧姆接触区及发射极欧姆接触区；在基极n区内从左至右还包括基极‑集电极p‑n结区、附加掺杂集电极区。增加功率双极晶体管对二次击穿的耐受能力，采用过电压保护阈值可调节的设计，减小器件的输出容量以得到功率双极晶体管结构简化，缩小功率双极晶体管的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二次 击穿 功率 双极晶体管 | ||
【主权项】：
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