[发明专利]一种单层或几个单层的CrTe3薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202110687492.6 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113307236A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 姚杰;赵爱迪 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 李晓莉 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
本发明公开一种单层或几个单层的CrTe3薄膜及其制备方法。所述薄膜呈单一结构相，是具有磁性的半导体二维材料，且其薄膜表面在扫描隧道显微镜下表现出特征的锯齿状结构。本发明提供一种所述的单层CrTe |
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| 搜索关键词： | 一种 单层 几个 crte3 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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