[发明专利]一种单层或几个单层的CrTe3薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种单层或几个单层的CrTe₃薄膜，其特征在于，呈单一结构相，层间高度为0.6nm到0.8nm。

2.根据权利要求1所述的CrTe₃薄膜，其特征在于，表面在扫描隧道显微镜下具有锯齿状特征条纹。

3.根据权利要求1所述的CrTe₃薄膜，其特征在于，是磁性半导体薄膜，能够用于自旋电子器件中。

4.根据权利要求1所述的CrTe₃薄膜，其特征在于，生长方式为层状生长，由一个或者几个单层构成。

5.根据权利要求1-4任一项所述的CrTe₃薄膜，其特征在于，所述薄膜利用分子束外延的方式制备出来；或者利用化学气相沉积、物理气相沉积或原子层沉积方法制备出来。

6.制备如权利要求1-4任一项所述的CrTe₃薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：选取高纯度的Cr和Te元素粉末或者块状或者棒材，分别装入蒸发源中；

步骤二：将Cr、Te源插入真空腔体内，抽真空；

步骤三：对所用到的衬底进行处理，使其变得平整；优选地，生长薄膜所选用的衬底为衬底表面比较惰性且不与Cr、Te有强的相互作用的衬底；更优选地，所述衬底选自高定向热解石墨(HOPG)、SrTiO₃、KTaO₃和石英中的一种或多种；

步骤四：校准Cr、Te源的束流比；

步骤五：将衬底加热，向衬底上同时沉积Cr、Te原子；优选地，将衬底加热到200℃；

步骤六：将Cr源和Te源关闭后，再对衬底降温至室温，即可得二维CrTe3薄膜。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤一中，所选用的蒸发源蒸发材料为高纯度的Cr、Te单质，纯度高于99.99％。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，需要在真空制备腔体中制备，且制备之前需要对装有Cr、Te元素的蒸发源和选取的衬底进行脱气处理。

9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤四中，Cr和Te的束流比要高于1：20。

10.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤五中，衬底在单层CrTe₃薄膜生长过程中，要维持在150℃到250℃；优选地，保持在40分钟生长一个单层的速度。