[发明专利]一种提高双扩散漏器件击穿电压的方法在审
| 申请号： | 202110685154.9 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113506743A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 汪雪娇;石晶;徐翠芹;刘巍 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高双扩散漏器件击穿电压的方法，晶圆设有P型衬底，在P型衬底上形成N阱；在N阱上形成IO阱；在IO阱的两侧分别形成第一、第二LDD区；在IO阱的上表面形成多晶硅结构；第一、第二LDD区的一部分位于多晶硅结构两侧的下方；在多晶硅结构的侧壁形成侧墙；在多晶硅结构侧壁的侧墙以外的第一、第二LDD区分别形成源漏区；其中源漏区中的源区在横向与其临近的侧墙之间无间隔；源漏区中的漏区在横向与其临近的侧墙之间相互间隔有屏蔽区；在LDD区的屏蔽区的上表面形成SAB区；在SAB区以外的晶圆表面形成NiSi层。本发明提出的新型非对称DDDMOS结构，可以在不增加任何工艺成本的情况下，提高DDDMOS的横向穿通电压，从而更广泛应用于高压或高功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 扩散 器件 击穿 电压 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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