[发明专利]基于高结晶度掺杂压电薄膜的声波谐振器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110684256.9 申请日: 2021-06-21
公开(公告)号: CN113346866B 公开(公告)日: 2023-03-10
发明(设计)人: 左成杰;林福宏;吴梓莹;杨凯 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: H03H9/25 分类号: H03H9/25;H03H9/17;H03H3/04;H03H3/10
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吴梦圆
地址: 230026 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明提供一种基于高结晶度掺杂压电薄膜的声波谐振器,该声波谐振器包括:衬底;种子层,设置在衬底上,衬底与种子层形成布拉格反射结构;掺杂层,设置在种子层上;金属电极,设置在掺杂层上;其中,种子层用于增加掺杂层与衬底之间的晶格匹配度,以及用于反射掺杂层发射的声波。本发明还提供一种上述声波谐振器的制备方法。
搜索关键词: 基于 结晶度 掺杂 压电 薄膜 声波 谐振器 及其 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
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