[发明专利]场效应晶体管及制备方法、逻辑门操作实现方法在审
| 申请号： | 202110678712.9 | 申请日： | 2021-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN113594259A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 王振兴;王俊俊;王峰;何军 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/24;H01L21/34;H03K19/20 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 谢志超 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明提供一种场效应晶体管及制备方法、逻辑门操作实现方法，通过使用α‑In |
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| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 制备 方法 逻辑 操作 实现 | ||
【主权项】：
暂无信息
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