[发明专利]一种双层结构的晶圆温度场重建装置有效
| 申请号： | 202110675598.4 | 申请日： | 2021-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN113506760B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 王超;姜晶;牛夷;贾镜材;陈梦朝;钟业奎;喻培丰;张泽展 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 陈一鑫 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种双层结构的晶圆温度场重建装置，涉及半导体测试设备技术领。本发明主要用于测量各种半导工艺过程中的晶圆温度分布，包括前端温度测量和后端数据收发、充电部分。所述前端温度测量部分通过组装的方式将两块经过处理后的晶圆与电路进行贴合而成，能够适应各类不同的半导体工艺。所述后端数据收发、充电装置，以简单的机械结构，实现了与晶圆良好的电接触。本发明结构简单、与工艺兼容、测量准确、成本低，具有较高的商业价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双层 结构 温度场 重建 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
