[发明专利]一种基于SnO2缓冲层Sb2

摘要

本发明涉及一种基于SnO2缓冲层Sb2Se3太阳能电池的制备方法，选用磁控溅射法沉积SnO2薄膜，近空间升华法CSS沉积Sb2Se3薄膜，并对SnO2薄膜和Sb2Se3薄膜分别进行退火改性，最后制备出了FTO/SnO2/Sb2Se3/Au顶衬结构的薄膜太阳能电池器件。磁控溅射法与喷雾热解法、低温热解法相比，制备的SnO2薄膜更加致密，纯度更高，重复性更好，厚度可控，在高真空腔室下溅射有效的避免了杂质的引入，制备的薄膜均匀性更好且不会产生废液和任何有害气体；CSS是一种将源材料加热使其快速升华并且在衬底上沉积薄膜的一种制备方法，CSS源的利用率高、工艺简单、重复性好、膜层纯度高，因此CSS制备的Sb2Se3薄膜更加适合商业化生产。