[发明专利]集成电路和制造集成电路（IC）结构的方法在审
| 申请号： | 202110671796.3 | 申请日： | 2021-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN113488579A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 黄毓杰;陈重辉;黄睿政;陈东村 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/32 | 分类号： | H01L35/32;H01L35/34;H01L23/367;H01L23/38 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 电路包括热电结构和能量器件。热电结构包括：导线以及p型区域和n型区域，位于衬底的前侧上，导线配置为将p型区域电耦接至n型区域；第一通孔，配置为将p型区域热耦接至衬底背侧上的第一电源结构；以及第二通孔，配置为将n型区域热耦接至衬底背侧上的第二电源结构。能量器件电耦接至第一电源结构和第二电源结构的每个。本申请的实施例还涉及集成电路和制造集成电路(IC)结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 制造 ic 结构 方法 | ||
【主权项】：
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