[发明专利]集成电路和制造集成电路（IC）结构的方法

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

热电结构，包括：

p型区域，位于衬底的前侧上；

n型区域，位于所述衬底的前侧上；

导线，位于所述衬底的前侧上，配置为将所述p型区域电耦接至所述n型区域；

第一通孔，配置为将所述p型区域热耦接至所述衬底的背侧上的第一电源结构；以及

第二通孔，配置为将所述n型区域热耦接至所述衬底的背侧上的第二电源结构；以及

能量器件，电耦接至所述第一电源结构和所述第二电源结构的每个。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述能量器件包括配置为向所述第一电源结构和所述第二电源结构施加电压的能量源。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述能量器件包括配置为从所述第一电源结构和所述第二电源结构接收电压的能量存储器件。

4.根据权利要求3所述的集成电路，其中，所述能量存储器件包括位于所述衬底的前侧或背侧上的电容性器件。

5.根据权利要求1所述的集成电路，还包括PMOS有源器件，

其中，所述热电结构包括PMOS伪器件，所述PMOS伪器件热和电耦接至所述p型区域，并且热耦接至所述PMOS有源器件并且与所述PMOS有源器件电隔离。

6.根据权利要求1所述的集成电路，还包括NMOS有源器件，

其中，所述热电结构包括NMOS伪器件，所述NMOS伪器件热和电耦接至所述n型区域，并且热耦接至所述NMOS有源器件并且与所述NMOS有源器件电隔离。

7.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：

散热器，位于所述衬底的背侧上，并且热耦接至所述衬底的背侧上的所述第一电源结构和所述第二电源结构。

8.根据权利要求7所述的集成电路，还包括：

网格结构，位于所述衬底的背侧和所述散热器之间，并且位于所述衬底的背侧上的所述第一电源结构和所述第二电源结构之间。

9.一种集成电路，包括：

热电结构阵列，位于衬底上，每个热电结构包括：

p型区域，位于所述衬底的前侧上；

n型区域，位于所述衬底的前侧上；

导线，位于所述衬底的前侧上，配置为将所述p型区域电耦接至所述n型区域；

第一通孔，配置为将所述p型区域热耦接至所述衬底的背侧上的第一电源结构；以及

第二通孔，配置为将所述n型区域热耦接至所述衬底的背侧上的第二电源结构；以及

能量器件，电耦接至所述热电结构阵列的第一热电结构的第一电源结构和所述热电结构阵列的第二热电结构的第二电源结构。

10.一种制造集成电路(IC)结构的方法，所述方法包括：

在衬底的前侧上形成p型结构和n型结构；

在所述衬底的前侧上形成配置为将所述p型结构电耦接至所述n型结构的导线；以及

在所述衬底的背侧上构造背侧配电结构的热耦接至所述p型结构和所述n型结构的一个或多个部分。