[发明专利]一种基于分数阶忆阻器阵列的加权求和电路及其使用方法在审

专利信息
申请号: 202110670536.4 申请日: 2021-06-17
公开(公告)号: CN113487011A 公开(公告)日: 2021-10-08
发明(设计)人: 甘朝晖;杨柳 申请(专利权)人: 武汉科技大学
主分类号: G06N3/04 分类号: G06N3/04;G06N3/063
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 张火春
地址: 430081 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种基于分数阶忆阻器阵列的加权求和电路及其使用方法。其技术方案是:第i行第j列端子Aij与第i行第j列分数阶忆阻器(102)的端子RM2连接(1≤i≤M;1≤j≤N),第i行第j列的阶次控制信号Uij加在第i行第j列端子Aij与GND之间,以调整该分数阶忆阻器(102)阶次;第i行电压输入信号端子ri与第i行的N个分数阶忆阻器(102)的端子RM0分别连接;第j列电压输入信号端子cj与第j列的M个分数阶忆阻器(102)的端子RM1和第j个电流采样电路(103)的输入端Ij分别对应连接;第i行正电压脉冲信号Uri加在第i行端子ri与GND间,第j列正电压脉冲信号Ucj加在端子cj与GND间,用于调整第i行第j列分数阶忆阻器(102)的阻值。本发明运算时间短,效率高。
搜索关键词: 一种 基于 分数 阶忆阻器 阵列 加权 求和 电路 及其 使用方法
【主权项】:
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