[发明专利]一种激光维持等离子体制备多晶硅的方法及系统有效
| 申请号： | 202110668865.5 | 申请日： | 2021-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN113415805B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 何良雨;刘彤 | 申请（专利权）人： | 何良雨 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 姚章国 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市前海深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 为克服现有气液沉积法法生成的多晶硅中杂质含量高的问题，本发明提供了一种激光维持等离子体制备多晶硅的方法，包括以下操作步骤：获取硅源气体；采用多束激光束交汇，在交汇点形成等离子体反应区，将硅源气体和可选择的其他参与反应的原料气体导入等离子体反应区反应生成多晶硅，沉降收集多晶硅。同时，本发明还提供了一种激光维持等离子体制备多晶硅的系统。本发明提供的激光维持等离子体制备多晶硅的方法和系统能够有效减少由于气液沉积反应器本身材质或由于加热装置的接触而引入杂质的风险，提高制备的多晶硅的纯度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光 维持 等离子体 制备 多晶 方法 系统 | ||
【主权项】：
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