[发明专利]支持同时读写的类双口存储器实现方法、类存储器及芯片结构有效
| 申请号： | 202110663812.4 | 申请日： | 2021-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN113254373B | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 王白羽 | 申请（专利权）人： | 上海矽久微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16;G06F3/06;G11C7/22 |
| 代理公司： | 深圳睿臻知识产权代理事务所(普通合伙) 44684 | 代理人： | 张海燕 |
| 地址： | 201210 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种类双口存储器实现方法、类存储器及芯片结构，所述类双口存储器通过两个容量相同的第一单口存储单元和第二存储单元实现，将输入读地址和写地址通过拆分算法拆分为无交集的第一子地址集和第二子地址集，将第一子地址集、第二子地址集和读写使能信号分别映射至第一单口存储单元和第二单口存储单元的地址线及使能线上，第一单口存储单元和第二单口存储单元的读写时钟频率与类双口存储器的读写时钟频率为同一时钟频率，本申请技术方案可广泛应用在需大量使用到同时读写的存储器设计中，极大地节省了芯片面积，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 支持 同时 读写 类双口 存储器 实现 方法 芯片 结构 | ||
【主权项】：
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